对于EUV光刻机的研发，困难很多，主要还是在光源这块。
陈怀庆并不急迫，也没有想着说，EUV光刻机在短时间就能够搞定。
他心理的预期，在二十年内研发成功，那就完全的没有问题。
毕竟，EUV光刻机主要用于10纳米以下。
但是也并不是就只有EUV光刻机能够实现10纳米以下制程，像是DUV光刻机，最高能够实现7纳米制程节点。
甚至陈怀庆还知道，就民用产品而言，14纳米的芯片，性能上面已经够用，甚至可以说，在性能上还过剩。
依照现在墨塔微电的发展形势来讲，陈怀庆不觉得说，以后掌握14纳米光刻机技术有任何的问题。
就技术而言，墨塔微电在全球光刻机领域，也是第一梯队的。
特别是后道光刻机领域，墨塔微电属于全球第一的存在，其他光刻机企业根本就没法和墨塔微电进行竞争。
优势太过于明显了。
技术优势和价格优势，这两样可是属于核心优势，在市场竞争当中直接打得对手毫无还手之力。
很顺理成章的就把市场给占了。
八九十年代的时候，全球光刻机企业有数十家之多，而到了现在，已经就只剩下数家。
主要在霓虹、华国、北美和欧洲。
至于说全球其他地区，已经在这块没有资格了。
技术门槛和技术壁垒都太高了，根本就不是一般国家，能够玩得转的东西。
注意，这里不是说的企业！
企业很强，但是在国家面前，再强的企业也很弱。
第四代深紫外光(DUV)ArF光源已经研发成功了，现在就剩下不断的进行完善。
墨塔微电的ArF光源光刻机研发进展的也相当顺利。能够如此的顺利，和墨塔微电集合了整个华国的最尖端人才，以及获得国家力量全力支持有着决定性的关系。
另外还有一点，就是最近十几年时间里面，墨塔微电联合各所大学，对人才进行了专项的培养。
大量的优秀理工科大学生毕业生源源不断的加入到墨塔微电。
“第四代光源光刻机预计能够将芯片制程工艺推进到65纳米。”
意味着，在未来五年时间里面，华国在半导体领域，都不用担心被人超越，一直保持在全球第一梯队上面。
“老板，这是我们浸润式DUV光刻机样机。”
此时，全球范围内，现在主要的都是干式光刻机，以空气为介质，193nm波长的光线，直接进行光刻。
而浸润式技术即在光刻机中，采用水为介质，让193nm波长的光线，进入水中进行折射后，让波长变成132纳米，从而实现从45nm-10nm级别的光刻。
墨塔微电在之前的时候，自然也是搞的干式光刻机，而在干式光刻机领域，康尼和能佳属于超级巨头。
墨塔微
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